MDT 系列壓溫一體型
單晶硅壓力 / 差壓傳感器芯片
壓溫一體
高過壓
高溫度抑制高穩(wěn)定性
高精度
特點：
MDT 系列采用經(jīng)典的惠斯通電橋原理，但在橋路設(shè)計上創(chuàng)新采用了雙惠斯通電橋，在橋路上實現(xiàn)“雙梁”。該雙梁橋路橋阻溫度特性互補，當(dāng)橋路發(fā)生自熱變化或噪聲干擾時，雙梁橋路實現(xiàn)自補償，大幅提高芯片的抗干擾能力與長期穩(wěn)定性。MEMS 硅傳感器芯片都需要金屬化工藝，將電橋橋阻內(nèi)部引線引出，并形成一定面積的金屬綁定區(qū)，此金屬線與金屬綁定區(qū)也將對硅感應(yīng)膜面產(chǎn)生應(yīng)力影響。MDT 采用全對稱的“梅花鏡像”式金屬化布局， 并將金屬化部分布局在芯片的邊緣，金屬化部分在溫度與壓力變化時，變化均勻、對稱抵消。阻值 10kΩ 的橋路電阻可以有效控制溫度影響，保證輸出信號高信噪比。
高穩(wěn)定性
MDT 系列具有高穩(wěn)定性，室溫下連續(xù)采集1000 小時傳感器零點壓力信號穩(wěn)定。注意 200 小時和 650 小時處僅僅是數(shù)據(jù)記錄中斷，電源和環(huán)境溫度沒有變化。
MDT 系列漏電流為100nA@10V，偏移電壓為±3mV/V（市場 主流芯片為±10mV/V），TCR為800ppm（市場主流芯片為 2600ppm），橋阻為10KΩ，在設(shè)計量程范圍內(nèi)靈敏度可達到（20±5） mV/V，非線性 ＜0.15%FS，當(dāng)施加4倍設(shè)計量程壓力后，靈敏度可達80mV/V，非線性＜0.8%FS。
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